深圳市明佳達電子有限公司 供應 Qorvo 射頻晶體管：砷化鎵 pHEMT、氮化鎵 HEMT、碳化硅 FET、碳化硅 JFET深圳市明佳達電子有限公司是一家專業(yè)的電子元器件供應商。專營高端器件，射頻器件，5G器件，新能源IC，高端連接器，以及一些冷門、偏門、缺貨的各類電子元器件。我們…
深圳市明佳達電子有限公司 供應 Qorvo 射頻晶體管：砷化鎵 pHEMT、氮化鎵 HEMT、碳化硅 FET、碳化硅 JFET
深圳市明佳達電子有限公司是一家專業(yè)的電子元器件供應商。專營高端器件，射頻器件，5G器件，新能源IC，高端連接器，以及一些冷門、偏門、缺貨的各類電子元器件。我們與全球知名的電子元器件制造商建立了緊密的合作關系，確保所供應的元器件均來自正規(guī)渠道，品質可靠。
砷化鎵 pHEMT
Qorvo 采用最先進的超低噪聲 0.15 μm pHEMT 和 0.25 μm E-pHEMT 工藝，提供各種分立晶體管元件。這些分立器件允許客戶在設計低噪聲放大器 (LNA) 電路時進行全面控制。各種分立 FET 的 NF（最小值）低至 0.15 dB，頻率高達 22 GHz。還提供配對晶體管，是平衡 LNA 設計的理想之選。
GaN HEMT
Qorvo 提供廣泛的氮化鎵（GaN）分立晶體管產品組合，具有不同的額定功率、電壓和頻率水平，既有裸片級解決方案，也有封裝解決方案。我們的產品不僅具有氮化鎵的高性能，而且采用了方便的行業(yè)標準封裝，從而加快了設計和制造速度，所有這些都有我們業(yè)界領先的可靠性作為后盾。
SiC FET
Qorvo 的高性能碳化硅 (SiC) FET 具有同類最佳的開關速度、更低的開關損耗、更高的效率、標準通孔（包括開爾文封裝）和表面貼裝封裝，而且成本效益極佳。這些 FET 基于獨特的級聯(lián)配置，其中高性能 SiC 快速 JFET 與級聯(lián)優(yōu)化的 Si-MOSFET 共同封裝，實現了標準柵極驅動 SiC 器件的運行。這些器件大多通過了 AEC-Q101 認證。
SiC JFET
這些 SiC JFET 具有超低導通電阻 (RDS(on))，起始值僅為 4 mΩ，而低柵極電荷 (QG) 則進一步降低了傳導和開關損耗。
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