BTS3410G 是英飛凌推出的智能低側功率開關,采用 HITFET? 技術 和 N溝道垂直功率MOSFET 設計,適用于 12V DC 電源系統(tǒng)中的電阻性、感性和容性負載開關控制。該器件集成雙通道輸出,提供全面的保護功能(如過載、短路、過壓、熱關斷等),可替代傳統(tǒng)電磁繼電器和分立電路,廣泛應用于汽車電子、工業(yè)控制和電源管理等領域。
BTS3410G 特性
熱關斷 + 自動重啟:溫度過高時自動關閉,冷卻后恢復工作。
過載/短路保護:防止電流超限損壞器件。
ESD 保護(>4kV),增強系統(tǒng)可靠性。
低導通電阻(RDS(on)):200mΩ(典型值),減少功率損耗。
邏輯電平輸入(2.2V~10V)
可直接連接 MCU/數字電路,無需額外驅動16。
汽車級可靠性:AEC-Q100 認證,適應 -40°C ~ +150°C 嚴苛環(huán)境。
雙通道獨立控制:2 路輸出,支持 獨立開關或并聯(lián)使用。
符合環(huán)保標準:RoHS 兼容,無鉛設計。
BTS3410G 應用
特別適用于驅動繼電器
適用于各種電阻性、感性及容性負載
型號
品牌
封裝
數量
描述
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英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國慕尼黑正式成立,是全球領先的半導體公司之一。其前身是西門子集團的半導體部門,于1999年獨立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會的三大科技挑…
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IPB120N06S4-03:60V、OptiMOS? -T2 汽車 MOSFET 晶體管,PG-TO263-3IPB120N06S4-03 規(guī)格參數:產品種類: MOSFET 技術: Si 安裝風格: SMD/SMT 封裝 / 箱體: D2PAK-3 (TO-263-3) 晶體管極性: N-Channel 通道數量: 1 Channel Vds-漏源極擊穿電壓: 60 V Id-連續(xù)漏極電流: 1…電話咨詢:86-755-83294757
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