UJ3C065030B3 SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅(qū)動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超結(jié)器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 D'PAK-3L 封裝,具有超低柵極電荷和出色的反向恢復特性,非常適合電感負載開關(guān)和任何需要標準柵極驅(qū)動的應用。.
UJ3C065030B3 的特性
典型導通電阻 RDS(on),typ 為 27mS
最高工作溫度為 175°C
出色的反向恢復
低柵極電荷
本征電容低
ESD 保護: HBM 等級 2 和 CDM 等級 C3
UJ3C065030B3 的典型應用
電動汽車充電
光伏逆變器
開關(guān)模式電源
功率因數(shù)校正模塊
電機驅(qū)動
感應加熱
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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